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| Título | Effects of N2 Plasma Pretreatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT |
| Tipo de publicación | Journal Article |
| Año de publicación | 2008 |
| Autores | F.González,, Romero, MF, Jiménez, A, Sánchez, JM, Braña, AF |
| Idioma de publicación | English |
| Revista académica | IEEE Electron Device Letters |
| Volumen | 29 |
| Número | 3 |
| Páginas | 209-211 |
| Fecha de publicación | marzo/2008 |
| Lugar de publicación | EEUU |
| ISSN | 0741-3106 |